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（d）UC-TENG为在不同转速下直接、少电少电连续的为1 μF电容器充电的电压曲线。发多【图文导读】图1 UC-TENG的结构示意图（a）UC-TENG的结构图。电力｜电（d–f）UC-TENG为商用计算器供电。

其最大开路电压、百科短路电流和功率密度分别达到300V、1.4mA和15.68mW/m2。用多（c,d）UC-TENG输出电流波形。

随着人们对TENG潜在应用的深入的研究，少电少电自供电传感器、少电少电自驱动执行器、一体式自供电微系统等诸多基于TENG的设备和系统已经得到了展示 (NanoEnergy,47,410,2018; 64,103911,2019;66,104123,2019)。

为了将这种交流脉冲电转换为直流电，发多研究人员已经开发出了多种电源管理技术，其中整流电路是实现单向电流转换的根本。电力｜电（c）SiOx/C和C-SiOx/C的TGA曲线。

没有动态稳定界面保护的SiOx/C颗粒经过200次充放电循环以后粉化碎裂严重，百科极片上已不能分辨出微米颗粒的存在（图c-e）。用多（c）Li||SiOx/C和Li||C-SiOx/C的倍率性能。

微米级电极材料（如商用石墨等）由于具有低的比表面积、少电少电化学稳定性好、易加工性等优势，更易满足LIBs产业化应用过程中的要求。但相比于纳米级颗粒，发多微米级SiOx颗粒具有更大的绝对体积变化和更长的Li+/e-传输距离，在多次充放电循环后仍会发生颗粒粉化。